BW-4022C

半导体综合测试系统

BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发测试的系统，经我公司产品升级与开发，目前亦可以对二管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试，性能、精度、测试范围均满足客户测试需求，可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。

BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，程控软件基于 Lab VIEW 平台， 调用式菜单操作界面，测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，根据不同器件换测试座配合，系统可适配设置完成对二管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。

该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成，并接受客户端MES系统进行测试指令：方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行，并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。

BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：

【光耦】

适用于〖三管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。

【二管】

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。

【压敏电阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。

【锂亚电池】

〖Kelvin/电池空载电压（Vbt）/负载电压(Vbt_load )  /测试电流（0-10A 恒流 ）/负载电压变化值（▲Vbt_load）/电池内阻(Vbt Res)  等进行测试。

【晶振】

〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻（Ri）/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围（10kHz~10MHz）等测试。

【其他测试功能可定制拓展】

一、 设备规格与环境要求

物理规格

主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm) 台式

主机重量：＜25kg

产品色系：白色系

工况环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不过 1500m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等；

供电要求

电源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

二、测试种类与技术指标

1、光耦测试：输入（Input）相关参数

· 正向电压（Forward Voltage）：

· 符号：Vf

· 小值：无

· 典型值：1.2 V

· MAX值：1.4 V

· 单位：V

· 测试条件：If=20mA

· 反向电流（Reverse Current）：

· 符号：Ir

· 小值：无

· 典型值：无

· MAX值：10 μA

· 单位：μA

· 测试条件：Vr=4V

输出（Output）相关参数

· 集电暗电流（Collector Dark Current）：

· 符号：Iceo

· 小值：无

· 典型值：无

· MAX值：100 nA

· 单位：nA

· 测试条件：Vce-20V,If=0

· 集电 - 发穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

· 符号：ceo

· 小值：80 V

· 典型值：无

· MAX值：无

· 单位：V

· 测试条件：Ic-0.1mA,If=0

· ** - 集电击穿电压（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

· 符号：eco

· 小值：6 V

· 典型值：无

· MAX值：无

· 单位：V

· 测试条件：Ie-10μA,,If=0

· 集电电流（Collector Current）：

· 符号：Ic

· 小值：2.5 mA

· 典型值：无

· MAX值：30 mA

· 单位：mA

· 测试条件：If=5mA,Vce-5V

· 电流传输比（Current Transfer Ratio）：

· 符号：CTR

· 小值：50 %

· 典型值：无

· MAX值：600 %

· 单位：%

· 测试条件：If=5mA,Vce-5V

传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数

· 集电 - **饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

· 符号：Vce

· 小值：无

· 典型值：0.1 V

· MAX值：0.2 V

· 单位：V

· 测试条件：If=20mA,Ic-1mA

· 隔离电阻（Isolation Resistance）：

· 符号：Riso

· 小值： Ω

· 典型值： Ω

· MAX值：无

· 单位：Ω

· 测试条件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数）

三管管型光耦

可控硅光耦

继电器光耦

2、二管类测试

· 二管类：二管

· Diode

· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（选配）；

二管类：稳压二管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二管类：稳压二管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二管类：三端肖特基二管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二管类： 瞬态二管

· TVS

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm  ；

二管类：整流桥堆

· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二管类：三相整流桥堆

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

3、压敏电阻测试

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;（参数配置精度与二管一致）

4、锂亚电池测试

· Kelvin(0~150mV)

· 电池空载电压（Vbt）  0-100V  +-0.2%

· 负载电压(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  测试电流（0-10A 恒流 ）

· 负载电压变化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 测试电流（0-10A 恒流 ）

· 电池内阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  测试电流（0-10A 脉冲 ）

5、晶振测试

· 震荡频率(Freq_osc )

· 谐振电阻（Ri）

· 频率精度(Freq_ppm)

· 测试频率范围（10kHz~10MHz）

三、参数配置与性能指标

1. 电流/电压源 VIS自带VI测量单元1）加压（FV）

2)加流(FI)：

说明：电流大于1.自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300u000us可调

3). 电流测量(MI)

4). 电压测量(MV)

2. 数据采集部分 VM （16位ADC，100K/S采样速率）

1). 电压测量(MV)

2). 漏电流测量(MI)

3. 高压源  HVS(基本)16位DAC

1).加压(FV)

2).加流(FI)：

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